意法半導體(ST)率先將矽穿孔技術(Through-Silicon Via, TSV)導入微機電系統(MEMS)晶片量産。在意法半導體的多晶片MEMS産品，如智慧型感測器和多軸慣性模組內，矽穿孔技術以短式垂直互連方式(Short Vertical Interconnect)取代傳統的晶片連接，在尺寸更小的産品內，實現更高的整合度和性能。
意法半導體(ST)率先將矽穿孔技術(Through-Silicon Via, TSV)導入微機電系統(MEMS)晶片量産。在意法半導體的多晶片MEMS産品，如智慧型感測器和多軸慣性模組內，矽穿孔技術以短式垂直互連方式(Short Vertical Interconnect)取代傳統的晶片連接，在尺寸更小的産品內，實現更高的整合度和性能。
矽穿孔技術透過短式垂直結構連接同一個封裝內堆疊放置的多顆晶片，相較於傳統的打線接合(Wire Bonding)或覆晶堆疊(Flip Chip Stacking)技術，矽穿孔技術擁有更高的空間使用效率和互連密度。意法半導體已取得矽穿孔技術專利，並將其用於大規模量產製造産品，此項技術有助於縮減MEMS晶片尺寸，同時可提高産品的穩定性和性能。
意法半導體企業副總裁暨類比産品、MEMS和感測器事業群總經理Benedetto Vigna表示，消費性電子市場對更小封裝的需求很大。意法半導體突破性地將矽穿孔技術應用到MEMS産品，爲最佳化手機等行動産品的電路板空間和功能開啓了新的篇章。公司將高性能三維(3D)晶片成功整合至智慧型感測器和多軸慣性感測器模組內，也代表著公司在推動MEMS普及化的里程中取得重要的階段性勝利。
意法半導體網址：www.st.com