ST製程獲歐洲E3NETWORK研發專案採用

為因應行動數據使用量迅速成長，網路系統必須支援更大容量及更高數據傳輸速率。而如何加快行動網路向先進網路架構轉型的速度，對回程線路(Backhaul)基礎設施是一個挑戰，例如異質網路(Heterogeneous Network)與雲端無線存取網路(RAN)，其中更高頻段，例如E-Band可提供更廣泛頻譜，以支援更快數據傳輸通道。

建設這些超高效率行動網路，設備廠商必須擁有高性能且低功耗、低成本大規模整合電路電子元件。E3NETWORK研發專案利用ST高整合度、低功耗BiCMOS55Si製程，開發出55奈米微影Ft高達320吉赫(GHz)異質接面雙極電晶體(HBT)。這項製程允許在一顆晶片上整合高頻類比模組及高性能、高容量數位模組，例如邏輯電路、類比訊號(AD/DA)轉換器和記憶體。

E3NETWORK專案採用ST BiCMOS55製程，研發一個整合化E-Band收發器，將用於去程線路(Fronthaul)及回程線路網路基礎設施，以實現數位多層調變，及高度聚焦的筆形束(Pencil-Beam)傳輸，數據速率可高達10Gbit/s。筆形束特性有助於提高回程線路及去程線路網路頻率再使用率，同時在毫米波段(Millimeter-Wave)間隔期間確保頻譜效率(Spectrum Efficiency)不受影響。

ST網址：www.st.com