艾薩(LSI)宣布提供伺服器和外部存儲原始設備製造商(OEM)首批12Gbit/s SAS RAID單晶片(Raid-on-chip, ROC)、控制器及擴充器積體電路(IC)樣品，進一步鞏固LSI在SAS市場的領導地位。
艾薩(LSI)宣布提供伺服器和外部存儲原始設備製造商(OEM)首批12Gbit/s SAS RAID單晶片(Raid-on-chip, ROC)、控制器及擴充器積體電路(IC)樣品，進一步鞏固LSI在SAS市場的領導地位。
藉由提供客戶12Gbit/s SAS晶片的初期樣品，LSI 為這項關鍵技術邁向全新里程碑，同時也為預計於2012年中，參加SCSI商業協會(SCSI Trade Association)12Gbit/s SAS測試和互操作性檢測活動奠定基礎。為OEM客戶展示最新技術，搭配單片八埠12Gbit/s SAS單晶片，直接連接八顆硬碟，在運行小型模組連續讀取/寫入作業時，效能可高於100萬IOPS。
IDC存儲與半導體事業群副總裁Dave Reinsel表示，12Gbit/s SAS技術將存儲分級效能提升到前所未有的水準，使企業應用從高效能固態存儲擴展至大型資料中心橫向擴充架構。早期晶片供應是推動12Gbit/s SAS基礎架構發展的首要關鍵一步，同時也為技術過渡時期和2013年底產品上市鋪平了道路。
12Gb/S SAS資料傳輸速率為6Gbit/s SAS解決方案的兩倍，可讓使用單個主機匯流排轉接卡的SAS基礎架構，提供超過PCI Express 3.0的頻寬。改善後的頻寬效能在輸入/輸出(I/O)處理功能的支援下，可達到最高鏈結利用率，以擴充傳統硬碟，並可增進固態硬碟(SSD)的效能。為保護客戶既有投資，12Gbit/s設計架構可向後相容3Gbit/s和6Gbit/s SAS基礎架構。
艾薩網址：www.lsi.com