意法半導體(ST)推出新款M系列650伏特(V)絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)，為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠能效解決方案，適用於暖通空調系統(HVAC)馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器及所有硬開關(Hard-Switching)電路拓撲20千赫(kHz)功率轉換應用。
意法半導體(ST)推出新款M系列650伏特(V)絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)，為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠能效解決方案，適用於暖通空調系統(HVAC)馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器及所有硬開關(Hard-Switching)電路拓撲20千赫(kHz)功率轉換應用。
第三代溝槽式場截止型(Trench-Gate Field-Stop)低損耗製程，M系列IGBT擁有一個全新溝槽/通道閘(Trench Gate)和特殊設計P-N-P垂直結構，能在導通損耗和開關損耗間找到平衡點，從而提升電晶體整體性能。在150℃初始接面溫度時，最小短路耐受時間為6微秒(µs)，175℃最大工作接面溫度及寬安全工作範圍有助於延長元件使用壽命。
新產品封裝亦整合新一代穩流二極體(Free-Wheeling Diode)，提供快速恢復功能並同時保持低正向電壓降及高軟度。此項設計可實現優異電磁干擾(EMI)保護功能，還能有效降低開關損耗。正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分布，使新產品能安全平行，並滿足更大功率要求。
最新發布M系列擁有10安培(A)及30A兩種可選額定電流，提供各種功率封裝選擇，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長接腳封裝，與意法半導體針對高頻工業應用所研發HB系列650V IGBT(高達60 kHz)相互補足。
意法半導體網址：www.st.com