意法半導體(STMicroelectronics)為降低電動汽車等電動設備的營運成本和減少對環境影響為目標，推出一款250安培表面貼裝的功率MOSFET，新產品STV250N55F3結合意法半導體的PowerSO-10封裝和Ribbon Bonding技術功率MOSFET，擁有極低無裸晶(Die-free)封裝電阻率，可將功率轉換損耗降至最低，並能提升系統性能。
意法半導體(STMicroelectronics)為降低電動汽車等電動設備的營運成本和減少對環境影響為目標，推出一款250安培表面貼裝的功率MOSFET，新產品STV250N55F3結合意法半導體的PowerSO-10封裝和Ribbon Bonding技術功率MOSFET，擁有極低無裸晶(Die-free)封裝電阻率，可將功率轉換損耗降至最低，並能提升系統性能。
新產品STV250N55F3採用意法半導體高密度STripFET III製程，典型導通電阻僅為1.5毫歐姆，STripFET III的優點還包括開關損耗低及抗崩潰的能力。除提升散熱效率外，九線源極連接配置還有助於降低電阻，在25℃時，封裝的額定功率為300瓦特。其高額定電流可允許工程師設計多個並聯的MOSFET，達到節省電路板空間和材料成本目的。標準驅動Threshold有助於簡化驅動電路的設計，適用於高達55伏特的應用。
STV250N55F3高達175℃的工作溫度適用於高電流的電力牽引設備，如堆高機、高爾夫球車和電動拖板車，以及割草機、電動輪椅和電動單車等。新產品在晶圓和成品階段都經過100%崩潰測試，可確保晶片可靠性和穩固性，不久將達到汽車級產品的標準。
意法半導體網址：www.st.com