安森美半導體(ON Semiconductor)展示首款功能全面的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)圖像感測器。相比傳統的單片非堆疊式設計，該感測器的晶片覆蓋區更少、像素表現更高且功耗更佳。
安森美半導體(ON Semiconductor)展示首款功能全面的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)圖像感測器。相比傳統的單片非堆疊式設計，該感測器的晶片覆蓋區更少、像素表現更高且功耗更佳。
安森美半導體圖像感測器部技術副總裁Sandor Bama表示，三維(3D)堆疊技術是令人興奮的突破，它提高了使用者優化未來安森美半導體感測器的能力。
至於，傳統採用單片基板工藝的感測器設計，需要單獨的晶片區以支持像素陣列和輔助電路。運用3D堆疊技術，圖元陣列和輔助電路可放在不同基板上分開製作，接著再通過封裝技術和矽穿孔(TSV)堆疊連接。如此一來，像素陣列就能覆蓋基本電路，實現更有效率的晶片分布。
安森美網址：www.onsemi.com