宜普電源轉換公司(EPC)推出40V、1.6mΩ的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)EPC2069,專爲設計人員而設,該產品比目前市場上可選的元件更小、更高效、更可靠,適用於高性能且空間受限的應用。
EPC2069適合需要高功率密度的應用,包括48至54V輸入伺服器。較低的閘極電荷和零反向恢復損耗可實現1MHz及更高頻率的操作,在10.6mm2的微小佔板面積內,實現高功率密度。該產品可支持48V/12V DC/DC解决方案,範圍從500W到2kW,效率超過98%。在初級側和次級側使用氮化鎵(eGaN)元件,可實現超過4000W/in3的最大功率密度。
EPC公司首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,EPC2069元件可應對人工智慧和遊戲等高密度計算應用所需。與上一代40V GaN FET相比,這款40V元件的尺寸、寄生電感更小、成本更低,進而讓設計師實現更高的性能和成本效益。
EPC90139開發板的最大元件電壓爲40V、最大輸出電流爲40A,配備板載閘極驅動器的半橋元件,採用EPC2069 eGaN FET。這款2×2(50.8mm×50.8 mm)的電路板,專爲實現最佳開關性能設計,讓工程師易於評估EPC2069。