Transphorm與偉詮電子(Weltrend Semiconductor Inc.)宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵元件(SiP)，與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵SiP一起，組成首個基於Transphorm SuperGaN平台的系統級封裝氮化鎵產品系列。
新推出的兩款SiP元件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，整合了偉詮電子的高頻多模(準諧振/穀底開關)反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。
與上一款240毫歐元件(WT7162RHUG24A)相同，兩款新的元件與USB PD或可程式設計電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。值得注意的是，它們還可提供更多創新功能，包括UHV穀底跟蹤充電模式、自我調整OCP補償和自我調整綠色模式控制等，使客戶能夠使用更少的元件、最精簡的設計方案，更快地設計出高品質的電源產品。
偉詮電子市場推廣副總裁Wayne Lo表示，2023年，該公司推出了首款SiP氮化鎵元件。對於AC-DC電源產品市場，SiP氮化鎵元件代表了一種全新的進入市場策略(Go-To-Market Strategy)。此次發布的新產品表明，偉詮電子將繼續為該應用領域提供更多的元件選擇，支援更廣泛的產品功率級。基於Transphorm SuperGaN平台並採用整體封裝解決方案，可以為從30瓦低功率USB-C PD電源適配器到接近200瓦功率充電器的各種裝置提供更易設計的高性能電源，這是Transphorm氮化鎵元件的獨特之處。
終端產品製造商想方設法開發物料(BOM)成本更低、但同時又具備靈活、快速充電、和更高功率輸出的新型適配器。此外，針對許多應用場景，製造商還希望提供具有多個埠和/或多種連接類型的更為通用的充電器。而所有這些方案，產品外形都要做到更小、更輕。
Transphorm常閉型d-mode SuperGaN技術平台的主要優勢包括：同類最佳的穩固性(+/-20V的柵極裕度和4V的抗擾性)及可靠性(FIT失效率<0.05)，且功率密度比矽元件高50%。偉詮電子精簡的SiP設計，利用了上述GaN元件優勢以及自身的創新技術，打造出一款近乎隨插即用的解決方案，縮小外形尺寸的同時，加快設計速度。
Transphorm全球銷售及FAE副總裁Tushar Dhayagude表示，從適配器和充電器製造商的需求考慮，SiP可以成為重要的元件選項。不僅能滿足系統電源轉換效率的要求，而且功能整合，元件更易使用，進而在最短的時間內可設計出產品。偉詮電子此前推出的首款元件驗證了SuperGaN SiP的性能和靈活性。本次發布新款元件，表明了兩家公司在深化並實踐為客戶提供更多選擇的承諾。
新產品的主要特點包括：可調的GaN FET柵極轉換速率控制、不需要外部VDD線性穩壓器電路(700V超高壓啟動電流直接取自交流線路電壓)、減小了封裝電感、採用標準8×8 QFN FF封裝。
偉詮電子SuperGaN SiP系列特別適用在用於智慧手機、平板電腦、筆記型電腦、頭戴式耳機、無人機、揚聲器、相機等移動/物聯網設備等的輕薄、高性能的USB-C電源適配器。
新推出的兩款元件(WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C)現已開始提供測試樣品。