Transphorm宣布推出七款參考設計，旨在加快採用氮化鎵(GaN)的USB-C PD電源配接器(Power Adapter)的研發進程。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，涵蓋多種拓撲結構、輸出和功率(45W~140W)。
七款電源配接器參考設計採用SuperGaN第IV代650V場效電晶體(FET)，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢，這些特點已經成為Transphorm GaN元件的代名詞。在最近的對比分析中，與175mΩ的e-mode GaN元件相比，Transphorm的240mΩ SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度，並在50%和100%(全)功率下擁有更高的性能。
Transphorm的電源配接器參考設計組合包括五款開放框架的USB-C PD參考設計，頻率範圍為140~300kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發的一款65W主動鉗位反馳模式(ACF)參考設計，執行頻率為140kHz，峰值效率為94.5%。Transphorm的參考設計組合還包括兩款開放架構的USB-C PD/PPS參考設計，頻率範圍為110~140kHz。Transphorm與達爾科技(Diodes)合作開發了這兩款解決方案，利用該公司的ACF控制器實現了超過93.5%的峰值效率。
Transphorm現場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude表示，Transphorm提供與控制器無關的PQFN和TO-220元件，可大幅簡化設計。上述優勢以及其他特點有助於客戶在市場上推出具有突破性功率效率水準的GaN解決方案。