意法半導體(STMicroelectronics)推出一款250安培表面貼裝的功率MOSFET，新產品STV250N55F3擁有最低的導通電阻，可將功率轉換損耗降至最低，並能提升系統性能。新產品結合意法半導體PowerSO-10封裝和Ribbon Bonding技術的功率MOSFET，擁有極低的無裸晶(Die-free)封裝電阻率。
意法半導體(STMicroelectronics)推出一款250安培表面貼裝的功率MOSFET，新產品STV250N55F3擁有最低的導通電阻，可將功率轉換損耗降至最低，並能提升系統性能。新產品結合意法半導體PowerSO-10封裝和Ribbon Bonding技術的功率MOSFET，擁有極低的無裸晶(Die-free)封裝電阻率。
STV250N55F3採用意法半導體高密度STripFET IIITM製程，典型導通電阻僅為1.5毫歐姆。STripFET III的其他優點包括開關損耗低及抗崩潰能力。除提升散熱效率外，九線的源極連接配置還有助於降低電阻，於25℃時，封裝的額定功率為300瓦。其高額定電流可允許工程師設計多個並聯的MOSFET，達到節省電路板空間和材料成本的目的，並有助於簡化驅動電路設計。
高達175℃的工作溫度使STV250N55F3適用於高電流的電力牽引設備，如堆高機、高爾夫球車和電動拖板車，以及割草機、電動輪椅和電動單車等。新產品在晶圓和成品階段都經過100%的崩潰測試，可確保晶片的可靠性和穩固性。新產品不久還將達到汽車級產品的標準。
意法半導體網址：www.st.com