松下(Panasonic)與瑞薩(Renesas)自1998年以來即共同開發製程技術並建立成功的合作關係，目前將繼續合作開發32奈米之單晶片要素製程技術。兩家公司均相信32奈米電晶體技術及其他先進技術不久將可運用於大量生產。32奈米製程之單晶片雖預期將可藉由縮小設計以降低成本並提升效能，目前仍有許多技術問題待解決。特別是需引進新材料與開發新技術，以突破進一步整合時所遭遇的障礙。引用新材料在技術上有其困難度，因32奈米電晶體效能若要達到可接受的程度，在技術上面臨的挑戰遠比上一代製程更為困難。
松下(Panasonic)與瑞薩(Renesas)自1998年以來即共同開發製程技術並建立成功的合作關係，目前將繼續合作開發32奈米之單晶片要素製程技術。兩家公司均相信32奈米電晶體技術及其他先進技術不久將可運用於大量生產。32奈米製程之單晶片雖預期將可藉由縮小設計以降低成本並提升效能，目前仍有許多技術問題待解決。特別是需引進新材料與開發新技術，以突破進一步整合時所遭遇的障礙。引用新材料在技術上有其困難度，因32奈米電晶體效能若要達到可接受的程度，在技術上面臨的挑戰遠比上一代製程更為困難。
為因應上述挑戰，新32奈米單晶片製程將採用新開發之具有Metal/High-k1閘極堆疊架構的電晶體技術，同時採用新Ultra-Low-k2材質的配線技術。為達成運用32奈米之CMIS(互補金屬絕緣膜半導體，CMOS技術之一)技術，須在最佳化情況下，於具有Metal/High-k閘極堆疊架構的電晶體的原子層級上加入超薄膜覆蓋層4，以進一步發展傳統電晶體藉由部署氧化矽薄膜做為閘極絕緣體層構造。藉由導入此覆蓋層，已證明將可提升電晶體在實際使用時的可靠度，並抑制電晶體間電子特性的差異，因此將可於大規模的迴路中運作。
兩家合作夥伴早在瑞薩尚未成立前，即已共同合作開發新一代單晶片技術，截至目前為止已有非常卓越的合作成果，計有2001年開發的130奈米DRAM混合製程、2002年開發的90奈米單晶片、2004年開發的90奈米DRAM混合製程、2005年開發的65奈米單晶片製程，以及2007年開發的45奈米單晶片製程。
本次最新的32奈米製程開發成果，將運用於先進行動裝置及數位家庭裝置的單晶片產品。未來兩家企業將以長年的技術經驗及創新成果，以及多年成功的合作關係為基礎，繼續有效地開發先進製程技術，並快速轉移至大量生產階段。
瑞薩網址：www.tw.renesas.com
松下網址：www.panasonic.com.tw