英飛凌科技(IFNNY)宣布推出下一代600V CoolMOS C6系列高效能金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，600V CoolMOS C6系列產品上市後，將可使功率因素校正(PFC)或脈寬調變級等能源轉換應用更具節能效益，新的C6技術結合了最新超接面或補償裝置等多項優勢，包含超低區域特定導通電阻(例如TO-220封裝僅 99mOhm)，並且能夠降低電容切換損耗，而且切換動作控制簡易，體二極體也極為堅固耐用。
英飛凌科技(IFNNY)宣布推出下一代600V CoolMOS C6系列高效能金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，600V CoolMOS C6系列產品上市後，將可使功率因素校正(PFC)或脈寬調變級等能源轉換應用更具節能效益，新的C6技術結合了最新超接面或補償裝置等多項優勢，包含超低區域特定導通電阻(例如TO-220封裝僅 99mOhm)，並且能夠降低電容切換損耗，而且切換動作控制簡易，體二極體也極為堅固耐用。
C6系列產品是該公司的第五代 CoolMOS金屬氧化物半導體場效電晶體，有了CoolMOS C3和CoolMOS CP等上一代系列產品的開發經驗，英飛凌已持續提升切換速度，並降低導通電阻，CoolMOS C3裝置具備多樣化的功能，CP系列產品則適用於需要最高切換速度及最低 RDS(on) 的封裝相關專屬應用。
CoolMOS C6裝置易於設計，且適用於各種節能應用產品，例如個人電腦、筆記型電腦或行動電話的電源供應器或變壓器、照明(HID 高強度氣體放電)產品，以及顯示器(LCD 或電漿電視)和遊戲機等消費應用產品，利用該公司最新一代的功率半導體產品，可製造出具高度可靠性的最終產品，符合今日的高效率需求和政府法規。
英飛凌網址： www.infineon.com