英飛凌(Infineon)與Panasonic宣布雙方將共同開發以Panasonic常關型(強化模式)矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵(GaN)產品，並整合至英飛凌的表面黏著裝置(SMD)封裝。Panasonic已提供英飛凌上述常關型氮化鎵電晶體結構的授權。此次合作將使雙方皆可製造高效能氮化鎵裝置，客戶亦將受益於取得封裝相容的氮化鎵功率開關的雙重供貨來源。
英飛凌(Infineon)與Panasonic宣布雙方將共同開發以Panasonic常關型(強化模式)矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵(GaN)產品，並整合至英飛凌的表面黏著裝置(SMD)封裝。Panasonic已提供英飛凌上述常關型氮化鎵電晶體結構的授權。此次合作將使雙方皆可製造高效能氮化鎵裝置，客戶亦將受益於取得封裝相容的氮化鎵功率開關的雙重供貨來源。
英飛凌電源管理及多元電子事業處總裁Andreas Urschitz表示，英飛凌致力於為客戶提供各種最佳的產品與技術，包括以氮化鎵為基礎，穩定且可靠的功率裝置。該公司相信結合矽基板氮化鎵開關的強化模式，與相關的驅動程式，以及最佳化的驅動機制，將可為客戶提供極高的價值。
矽基板氮化鎵是廣受矚目的次世代化合物半導體技術之一，因為它可達到高功率密度與小體積(例如用於電源供應與轉換器)，同時也是提升能源效率的重要關鍵元件。一般而言，採矽基板氮化鎵技術的功率裝置可用於廣泛的用途，從高電壓工業應用到低電壓應用。根據IHS市場研究報告，與矽基板氮化鎵相關的功率半導體市場的年複合成長率(CAGR)將達50%，預期將由2014年的1,500萬美元成長至2023年的8億美元。
英飛凌網址：www.infineon.com