英飛凌科技(Infineon)推出具650 V阻斷電壓，採獨立封裝的650 V CoolSiC Hybrid IGBT產品組合。新款CoolSiC混合型產品系列結合了650 V TRENCHSTOP 5 IGBT技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC蕭特基二極體。新產品具有良好的切換頻率和更低的切換損耗，特別適用於DC-DC電源轉換器和功因校正(PFC)。其常見應用包括：電池充電基礎設施、能源儲存解決方案、光伏逆變器、不斷電系統(UPS)，以及伺服器和電信用交換式電源供應器(SMPS)。
由於續流SiC蕭特基障礙二極體與IGBT採用共同封裝，在dv/dt和di/dt值幾乎不變下，CoolSiC Hybrid IGBT運作時能大幅降低切換損耗。與標準的矽二極體解決方案相比，新產品可降低多達60% 的Eon和30% 的Eoff。或者，也可在輸出功率保持不變下，提高切換頻率至少40%。較高的切換頻率有助於縮小被動元件的尺寸，進而降低物料清單成本。該Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP 5 IGBT，無需重新設計，便能使每10 kHz切換頻率提升0.1% 的效率。
此產品系列可作為全矽解決方案和高效能SiC MOSFET設計之間的銜接，與全矽設計相比，Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統可靠性。由於肖特基障礙二極體的單極性，使二極體能快速切換，而不會有嚴重的振盪和寄生導通的風險。此系列提供TO-247-3或TO-247-4針腳的Kelvin Emitter封裝供客戶選擇。Kelvin Emitter封裝的第四針腳可實現低電感的閘極射極控制迴路，並降低總切換損耗。