應用材料發佈一項突破性的圖案化(patterning)技術，可協助晶片製造商以更少的EUV微影步驟生產高效能的電晶體和內連佈線(interconnect wiring)，進而降低先進晶片製程的成本、複雜性和環境影響性。
為了最佳化晶片的面積和成本，愈來愈多客戶運用極紫外光雙重圖案化技術(EUV double-patterning)，來轉印比EUV解析度極限更小的晶片特徵(chip features)。藉由EUV雙重圖案化技術，晶片製造商可將高密度的圖案分成兩半，並產生兩個符合EUV解析度極限的光罩；這兩半圖案在中間圖案化薄膜上結合，然後蝕刻到晶圓上。雖然雙重圖案化能有效提高晶片特徵的密度，然而這不但會提高設計和圖案化的複雜性，也增加了消耗時間、能源、材料和水的製程步驟，造成晶圓廠和晶圓生產成本的增加。
為協助晶片製造商在持續縮小設計之際，卻不增加EUV雙重圖案化的成本、複雜性以及能源和材料消耗，應用材料公司與一流客戶密切合作，開發了Centura Sculpta圖案化系統。現在，晶片製造商可以轉印單一的EUV圖案，然後利用Sculpta系統在任何選定的方向拉長形狀，以減少特徵之間的空隙並提高圖案的密度。由於最終圖案是透過單一的光罩所產生，不但降低設計的成本和複雜性，也消除了雙重圖案化對齊錯誤所帶來的良率風險。
採用EUV雙重圖案化需要增加一些製程步驟，一般包括CVD圖案化薄膜沉積、CMP清洗、光阻劑沉積和移除、EUV微影、電子束量測、圖案化薄膜蝕刻和晶圓清洗。對於它所取代的每個EUV雙重圖案化程序(sequence)，Sculpta系統可以提供晶片製造商以下效益：每月10萬片初製晶圓 (wafer starts)的產能將可節省約2.5億美元的資本成本、每片晶圓可節省約50美元的製造成本、每片晶圓可節約能源超過15千瓦時(kwh)、每片晶圓可直接減少約當0.35公斤以上二氧化碳的溫室氣體排放、每片晶圓可節省約15公升的水。