意法半導體(ST)和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵(GaN)功率切換元件製造技術。該矽基氮化鎵功率技術將讓意法半導體滿足高效能、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器。
本合作計畫之重點是在200mm晶圓上開發和驗證製造先進矽基氮化鎵架構的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預測，該市場將在2024年前將保持超過20%的年複合成長率。意法半導體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計畫，在Leti的200mm研發線上開發製程技術，預計在2019年完成可供驗證的工程樣品。同時，意法半導體還將建立一條高品質生產線，包括GaN/Si異質磊晶製程，並計劃2020年前在法國圖爾前段製程晶圓廠進行首次生產。
此外，有鑒於矽基氮化鎵技術對電源產品應用的吸引力，Leti和意法半導體正在評估高密度電源模組所需的先進封裝技術。
ST汽車與離散元件產品部總裁Marco Monti表示，在認識寬帶隙半導體令人難以置信的價值後，ST與CEA-Leti開始合作研發矽基氮化鎵功率元件的製造和封裝技術。於此次合作之後，該公司將進一步擁有產業最完整的GaN和SiC產品和功能組合。」
Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere則表示，Leti團隊利用其200mm通用平台全力支援ST矽基氮化鎵功率產品的策略規劃，並完成準備將該技術移轉到ST圖爾工廠的矽基氮化鎵專用生產線。此項合作須要利用IRT奈米電子研究所的框架計畫來擴大所需的專業知識並在元件和系統層面從頭開始創新。