ST揭露能在薄膜被動元件整合過程中，大幅提升接面電容密度的突破性技術。這種新技術擴展了ST的整合式被動與分離式元件(IPAD)技術，能實現大於30nF/mm
ST揭露能在薄膜被動元件整合過程中，大幅提升接面電容密度的突破性技術。這種新技術擴展了ST的整合式被動與分離式元件(IPAD)技術，能實現大於30nF/mm
2的電容整合度，較當前採用矽或鉭等氧化物或氮化物的技術提高了50倍。
新技術是以一種PZT Perovskites的材料為基礎。這種材料實質上是一種由鉛、鋯、鈦與氧組合而成的化合物。當鋯和鈦的比例不同時，這種材料存在的方式會有很大變化。這些材料具有非常高的介電常數，依特殊材料而定，大約可達到900，是二氧化矽的200倍。值得一提的是，這種材料在已經過驗證的大量IPAD製造過程中，整合成本非常低。
被動元件的整合是非常重要的，特別是在所有必須實現複雜濾波與保護功能的應用中，這些應用通常使用大量被動元件，如電阻、電容與電感，在要求節省PCB空間的設備中，這些被動元件必須加以整合。舉例來說，一個標準的行動電話需要數百個被動元件，其中超過一半是電容器。ST的IPAD技術能整合大量的被動與主動元件，如將ESD保護二極體整合到單一結構中，以實現特殊的濾波或保護功能。
ST網址：www.st.com