英飛凌(Infineon)推出兼具高電流與高效率的創新封裝技術。全新的TO封裝符合JEDEC標準帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝(H-PSOF)。首款採用H-PSOF封裝技術的產品為40伏特OptiMOS T2功率晶體，電流可高達300安培(A)，以及僅0.76毫歐姆(mΩ)超低的RDS(on)值。
英飛凌(Infineon)推出兼具高電流與高效率的創新封裝技術。全新的TO封裝符合JEDEC標準帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝(H-PSOF)。首款採用H-PSOF封裝技術的產品為40伏特OptiMOS T2功率晶體，電流可高達300安培(A)，以及僅0.76毫歐姆(mΩ)超低的RDS(on)值。
效能優異的電力電子元件可協助汽車系統設計業者符合政府規定，提高汽車燃油效率標準，以及更低的整體排放量，為滿足這些標準，需要電流大於200安培且RDS(on)小於1毫歐姆的功率MOSFET，以降低導通損失並提升整體效率。目前，汽車電子市場尚未出現滿足上述需求的MOSFET。
推出H-PSOF封裝之後，英飛凌提供電流可高達300安培與RDS(on)僅 0.76毫歐姆的40伏特功率MOSFET，為業界立下新的里程碑。此外，H-PSOF的整體尺寸和高度較常用的標準D2PAK封裝(TO-263)更小巧，H-PSOF封裝尺寸減少約20%，且高度幾乎只有目前D2PAK封裝的一半。
英飛凌網址：www.infineon.com