英飛凌推出業界首款512 Mbit抗輻射加固設計QSPI NOR快閃記憶體，適用於太空和極端環境應用 。這款半導體元件採用快速四串列周邊介面(133 MHz)，具有極高的密度、輻射和單次事件效應(SEE)性能，是一款完全通過QML認證的非揮發性記憶體，可與太空級FPGA和微處理器配合使用。
這款新元件由美國空軍研究實驗室太空飛行器局(AFRL)資助，並與Microelectronics Research Development公司(Micro-RDC)共同開發而成。它基於英飛凌經過實際驗證的SONOS電荷閘阱技術，運行速度較低密度替代品提高多達30%。
AFRL太空電子技術專案經理Richard Marquez表示，下一代太空級系統的設計者對高可靠性、高密度記憶體的需求不斷增長。我們與英飛凌、Micro-RDC等行業領導者合作，共同開發出一種集高密度、高資料傳輸速率與優於替代品的輻射性能於一身的技術解決方案。
Micro-RDC總裁Joseph Cuchiaro表示，英飛凌的抗輻射加固設計NOR FLASH極佳地補充了Micro-RDC的極端應用環境解決方案系列。隨著512 Mbit密度元件的推出，設計人員能夠設計出性能卓越的系統，以滿足比以往更廣泛任務類型的嚴格要求。
英飛凌航太與國防業務副總裁Helmut Puchner表示，此次英飛凌512 Mbit NOR FLASH家族擴展至抗輻射加固記憶體產品組合，進一步證明了我們致力於提供高度可靠、高性能記憶體來滿足下一代太空需求的承諾。與AFRL和Micro-RDC的合作推動了行業領先技術的發展，透過採用提高關鍵衛星功能性能的技術，來應對太空應用中遇到的極端環境。
英飛凌的SONOS技術獨特地結合了密度和速度以及先進的抗輻射性能，具有高達10000 P/E的出色耐用性和長達10年的資料保存期。該產品的133 MHz QSPI介面為太空級FPGA和處理器提供了高資料傳輸速率，並採用占板面積1” x 1”的陶瓷QFP(QML-V)，以及占板面積更小的0.5” x 0.8”塑膠TQFP(QML-P)兩種封裝。此外，該元件還為太空FPGA引導代碼解決方案提供了最高密度的TID/SEE性能組合。其QML-V/P封裝獲得DLAM認證，能夠滿足最嚴格的業界資格認證要求。
該元件的典型用例包括太空級FPGA的配置映射儲存和太空級多核處理器的獨立啟動代碼儲存。