服務橫跨多重電子應用領域的意法半導體(STMicroelectronics)宣布，ST瑞典Norrköping工廠製造首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圓，這些晶圓將用於生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋，代表ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得階段性的成功，此技術提升功率電子晶片的輕量化和效能，降低客戶成本。
意法半導體首批8吋SiC晶圓，對於晶片良率和晶體位元錯誤之缺陷非常低。其低缺陷率歸功於意法半導體碳化矽公司在SiC矽錠積累的研發技術。除了晶圓能滿足品質標準外，升級到8吋SiC晶圓還需對製造設備和支援生態系統的升級。意法半導體正與供應鏈上下游技術廠商合作研發專屬的製造設備和生產製程。
意法半導體量產的碳化矽STPOWER SiC，目前由義大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家6吋晶圓廠完成前段製程製造，後段製程製造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。此階段性的成功是意法半導體佈局8吋SiC量產計畫的一部分。到2024年，升級到8吋SiC晶圓屬於公司正在執行新建碳化矽基板廠和內部採購碳化矽基板比重超過40%的計畫。