由意法半導體(ST)與其他間公司共同推動的LAST POWER專案，將公布為期3年由歐盟資助的功率半導體專案開發成果。以研發高成本效益且高可靠性的功率電子技術為目標，涉及工業、汽車、消費性電子、再生能源轉換系統和電信應用。專案開發成果讓歐洲躋身於世界高能效功率晶片研究商用的最前列。
由意法半導體(ST)與其他間公司共同推動的LAST POWER專案，將公布為期3年由歐盟資助的功率半導體專案開發成果。以研發高成本效益且高可靠性的功率電子技術為目標，涉及工業、汽車、消費性電子、再生能源轉換系統和電信應用。專案開發成果讓歐洲躋身於世界高能效功率晶片研究商用的最前列。
歐洲奈米電子行動顧問委員會(ENIAC)聯盟(JU)是奈米工業上市公司與民營企業的聯盟組織，於2010年4月啟動了LAST POWER專案，聚集了寬能隙功率半導體元件(Wide Bandgap Power Semiconductor)領域的民營企業、大學和公共研究中心。
碳化矽主要研發成果基於SiCrystal展示的離軸2°截止角的150毫米(mm)直徑的大面積4H-SiC基板。在晶體結構和表面粗糙度方面，材料品質與專案啟動時的標準100mm 4°離軸材料相容。在LPE/ETC，這些基板用於中度摻雜的外延層的外延生長，適用於加工600～1200伏特(V)JBS(Junction Barrier Schottky)蕭特基(Schottky)二極體和金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，專案為在大面積150mm 4H -SiC上生長外延開發了一個創新的化學氣相沉積(CVD)反應堆(Reactor)。
外延層品質讓意法半導體能夠在工業生產線上製造JBS蕭特基二極體。第一批晶圓特徵分析顯示，電氣性能與先進的4°離軸材料相當。在此一專案內，同一企業還可取得用於加工MOSFET和JFET的外延生長能力。
意法半導體網址：www.st.com