意法半導體(STMicroelectronics)推出兩款新的功率金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)產品，適用於DC/DC轉換器。新產品採用其獨有的STripFET技術，擁有極低導電和轉換損耗，在一個典型穩壓模組內，最大功耗小於3瓦，在同類型競爭產品中，擁有較低參數指數。
意法半導體(STMicroelectronics)推出兩款新的功率金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)產品，適用於DC/DC轉換器。新產品採用其獨有的STripFET技術，擁有極低導電和轉換損耗，在一個典型穩壓模組內，最大功耗小於3瓦，在同類型競爭產品中，擁有較低參數指數。
除高效能外，新推出的MOSFET讓實際電路可在高於平常轉換頻率下工作，減少電路被動元件的尺寸。例如將轉換頻率提升10%，輸出濾波器所需的被動元件的尺寸就可以縮小10%。STD60N3LH5和STD85N3LH5是意法半導體新STripFET V系列產品首推的兩項產品，由於導通電阻小且總閘極電荷量也較低，新系列擁有優異性能及較佳效能，兩款產品都是30伏特(BVDSS)，因為閘極電荷量(Qg)僅為8.8奈米庫倫(nC)，且在10伏特電壓時，導通電阻Rds(on)為7.2毫歐，STD60N3LH5適合非隔離DC/DC降壓轉換器中的控制型單結型場效應電晶體(FET)。STD85N3LH5在10伏特電壓時，導通電阻Rds(on)為4.2毫歐，閘極電荷量為14奈米庫倫，使其成為同步MOFET的最佳選擇。
ST的STripFET技術利用非常高的等效單元密度(Equivalent Cell Density)和更小單元特徵尺寸來達到極低導通電阻和轉換損耗，同時占用較小的矽晶元面積。STripFET V是最新STripFET技術，在矽晶元阻抗和導通區間兩大關鍵指數上，可提升大約35%，同時每導通區間內的總閘極電荷量可降低25%。
意法半導體網址：www.st.com