Microchip IGBT 碳化矽 電源系統 MOSFET 分離元件 蕭特基二極體

Microchip推出取代矽IGBT之碳化矽功率解決方案

2021-09-03
為商用車輛推進系統提供動力的節能充電系統,以及輔助電源系統、太陽能變流器、固態變壓器和其他交通和工業應用都依賴於高壓開關式電源設備。為滿足這些需求,Microchip Technology擴大其碳化矽產品組合,推出1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。

Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品。由於矽IGBT的損耗問題限制開關頻率,之前的技術要求設計人員在效能上做出妥協並使用複雜的拓樸結構。此外,電力電子系統的尺寸和重量因變壓器而變得臃腫,只有提高開關頻率才能減小尺寸。

新推出的碳化矽系列產品使工程師能夠捨棄IGBT,轉而使用零件數量更少、效率更高、控制方案更簡單的兩級拓樸結構。在沒有開關速度的限制情況下,功率轉換單元的尺寸和重量可大幅減少,可在有限空間來建立更多充電站,提供更多空間來運送乘客和貨物或延長重型車輛、電動巴士和其他電池驅動商業車輛的續航能力和執行時間,所有這些都可以降低整體系統成本。

新產品特點包括柵極氧化物穩定性,Microchip在重複非鉗位元感應開關(R-UIS)測試中觀察到,即使延長到10萬個脈衝後,閾值電壓也沒有發生漂移。R-UIS測試還顯示崩潰耐固性、參數以及柵極氧化物的穩定性,實現在系統使用壽命內的可靠運行。抗退化體二極體利用碳化矽MOSFET可以無需外部二極體。與IGBT相當的短路耐受能力可承受有害的電瞬變。在接面溫度0至175攝氏度範圍內,相比對溫度更敏感的碳化矽MOSFET,較平坦的RDS(on)曲線使電力系統能夠更穩定地運行。

Microchip透過AgileSwitch數位可程式設計柵極驅動器系列和各種分離和功率模組,以標準和可客製化的形式簡化技術的採用。這些柵極驅動器有助於加快碳化矽從實驗到生產的開發速度。Microchip的其他碳化矽產品包括700V和1200V的MOSFET和蕭特基二極體系列,提供裸片和各種分離和功率模組封裝。

本站使用cookie及相關技術分析來改善使用者體驗。瞭解更多

我知道了!