瑞薩電子日前宣布已開發全新快閃記憶體技術，可達到更快的讀取與覆寫速度，這項新的技術是針對採用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術的晶片內建快閃記憶體微控制器(MCU)所設計。
瑞薩電子日前宣布已開發全新快閃記憶體技術，可達到更快的讀取與覆寫速度，這項新的技術是針對採用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術的晶片內建快閃記憶體微控制器(MCU)所設計。
為因應近來的環境議題，世界各國對於汽車性能的法規皆日趨嚴格。因此，傳動系統必須支援新的引擎控制方法，此外，先進駕駛輔助系統(ADAS)現在希望能創造安全、防護及舒適的汽車體驗，為因應上述市場需求，汽車微控制器(MCU)必須進一步提升效能，甚至進一步降低功耗。
據了解，該公司正持續開發以SG-MONOS架構為基礎的MCU eFlash記憶體，此架構在高可用性、高速及低功率方面皆獲得良好的記錄。從40奈米製程轉移至業界最先進的28奈米製程的同時，此新技術可透過瑞薩的電路技術達到更大記憶體容量及更高處理效能。
瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com