Transphorm宣布，推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，這表示TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可靠性—而市場上主流的代工e-mode氮化鎵則缺乏這樣的可靠性。
這三款表面貼裝型器件(SMD)可支援平均運行功率範圍為1至3千瓦的較高功率應用，這樣的電力系統常用於高性能領域，如計算(人工智慧、伺服器、電信、資料中心)、能源和工業(光伏逆變器、伺服電機)以及其他廣泛的工業市場。目前，氮化鎵在這一市場領域的全球潛在市場規模(TAM)達25億美元。值得關注的是，該新型功率器件是目前快速發展的人工智慧(AI)系統最佳解決方案，AI系統依賴於GPU，而GPU的功耗是傳統CPU的10到15倍。
目前，各種高性能領域的主流客戶開始採用Transphorm的高功率氮化鎵器件，為其高性能系統提供電力支援，應用領域包括資料中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。新型TOLL封裝器件也能夠用於電動汽車的DC-DC轉換器和車載充電器應用，因為核心SuperGaN晶片已通過汽車行業(AEC-Q101)標準認證。
TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封裝類型，給予了客戶最廣泛的封裝選擇，以滿足客戶的不同設計需求。與所有Transphorm產品一樣，該TOLL封裝器件利用了Transphorm常閉型d-mode SuperGaN平臺所固有的性能和可靠性優勢。如欲詳細瞭解SuperGaN與e-mode氮化鎵的對比分析，請下載Transphorm公司最新發佈的白皮書『Normally-off D-Mode氮化鎵電晶體的根本優勢』，該技術白皮書的結論與Transphorm今年初發佈的一份對比報告相一致，該比較顯示，在一款市售280W電競筆記型電腦充電器中，使用72毫歐SuperGaN FET直接替代尺寸更大的50毫歐e-mode器件，充電器的性能會更好。
SuperGaN器件憑藉以下性能指標引領市場：可靠性：FIT<0.03，柵極安全裕度：±20V，抗噪性：4V，電阻溫度係數(TCR)比e-mode器件低 20%，驅動方式更靈活：利用矽基控制器/驅動器中現成的標準驅動和保護電路。
該650V SuperGaN TOLL封裝器件性能穩健，且已獲得JEDEC資格認證。由於常閉型d-mode平臺是將GaN HEMT與低電壓矽管配對，因此，SuperGaN FET可以簡單的選擇使用常用市售柵極驅動，應用於各種軟/硬開關的AC-DC、DC-DC 和 DC-AC拓撲中，提高功率密度，同時減小系統尺寸、重量和總成本。
SuperGaN TOLL封裝器件目前可提供樣品。