Transphorm宣布新增的TP65H050G4BS元件擴充其表面黏著封裝產品系列。這款全新高功率表面黏著元件(SMD)是一款採用TO-263 (D2PAK)封裝的650V SuperGaN場效電晶體(FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN元件。
TP65H050G4BS通過JEDEC認證，賦能設計者和製造商開發常用於資料中心和廣泛工業應用的高功率系統，具有Transphorm的閘極穩健性(±20Vmax)和抗矽雜訊閾值(4V)，以及氮化鎵(GaN)技術的易設計性和驅動性能。工程師須使用較大的D2PAK來滿足更高的功率和表面黏著封裝需求。與PQFN封裝相比，D2PAK可實現更好的熱性能，同時幫助使用者透過單一的製造流程提高印刷電路板(PCB)組裝效率。
D2PAK可作為分離式元件提供，也可配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無橋圖騰柱功率因素校正(PFC)評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。D2PAK還可切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板，以驅動多kW功率。
Transphorm全球行銷、應用和業務發展資深副總裁Philip Zuk表示，D2PAK是Transphorm產品組合的一個重要補充，將SMD產品的可用性拓展至高功率領域。客戶可獲得Transphorm GaN平臺的多項優勢，如熟悉的TO-XXX封裝消除設計挑戰、簡化系統開發並加快產品上市速度。
Transphorm是當前提供標準TO-XXX封裝的高壓GaN元件的唯一GaN供應商。值得注意的是，鑒於其固有的閘極損壞敏感性，這些封裝產品不支援替代性的增強型GaN技術。