意法半導體(ST)宣布其28奈米(nm)FD-SOI技術平台在測試中再度取得重大階段性成功。繼2012年12月該公司宣布系統單晶片(SoC)整合電路成功投產後，2013年其法國Crolles工廠生產的應用處理器引擎晶片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下，此一新產品效能可高於其他現有技術。
意法半導體(ST)宣布其28奈米(nm)FD-SOI技術平台在測試中再度取得重大階段性成功。繼2012年12月該公司宣布系統單晶片(SoC)整合電路成功投產後，2013年其法國Crolles工廠生產的應用處理器引擎晶片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下，此一新產品效能可高於其他現有技術。
意法半導體執行副總裁、數位娛樂事業部總經理暨技術長Jean-Marc Chery表示，如公司當初預期，測試證明FD-SOI是一項簡易、快速及高能效的技術，意法半導體完全預期到這項技術的工作速度能夠達到3GHz，而且設計方法與傳統互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程相同。受益於完全空乏型(Fully Depleted)通道和反偏壓(Back Biasing)，低功耗要求也符合公司的預期。
在電路微型化的發展過程中，FD-SOI技術是一個重大的技術突破，應用處理器引擎執行速度達到3GHz，也代表FD-SOI技術將被應用於可攜式裝置、數位相機、遊戲機及各種應用ASIC。在下一代製程中，只有FD-SOI被證明能夠滿足行動工業的最高性能和最低功耗要求，這兩項要求對於提供令人震撼的繪圖和多媒體功能且不影響電池壽命至關重要。
ST網址：www.st.com