英飛凌(IFNNY)上週在美國波士頓所舉辦的IEEE MTT-S國際微波技術研討會上宣布推出可供設計寬頻無線網路基地台的高功率LDMOS電晶體系列產品，新型電晶體的功率位準高達300瓦，視訊頻寬超過90 MHz，完全支援由3G發展為4G無線網路所需的高峰值對均值功率比以及高資料傳輸速率規格。新型電晶體系列產品所提供的高增益及高功率密度，優於在1.4–2.6GHz行動頻帶中運作的其他裝置，如此將可使用體積減少30%的套件，設計更小型且成本更低的放大器，高峰值功率有助於設計Doherty放大器，以及減少其他架構中的零件數量。
英飛凌(IFNNY)上週在美國波士頓所舉辦的IEEE MTT-S國際微波技術研討會上宣布推出可供設計寬頻無線網路基地台的高功率LDMOS電晶體系列產品，新型電晶體的功率位準高達300瓦，視訊頻寬超過90 MHz，完全支援由3G發展為4G無線網路所需的高峰值對均值功率比以及高資料傳輸速率規格。新型電晶體系列產品所提供的高增益及高功率密度，優於在1.4–2.6GHz行動頻帶中運作的其他裝置，如此將可使用體積減少30%的套件，設計更小型且成本更低的放大器，高峰值功率有助於設計Doherty放大器，以及減少其他架構中的零件數量。
德國英飛凌科技RF功率部門副總裁暨總經理Helmut Vogler表示，縮減功率放大器的尺寸，同時提供優異的能源效率，造就較小型基地台，進而讓製造商能夠以最適成本，提供高效、環保的系統解決方案，隨著此電晶體初期系列產品的推出，今日的基地台供應商將可向英飛凌尋求協助，以滿足客戶對即將於2010年開始出現之4G技術的需求。
這批新型電晶體以雙載波WCDMA訊號(2170MHz、30伏特、8dB PAR及3.84 MHz通道頻寬)所測得的效能為50瓦平均功耗、18dB 增益，效率28%(使用 230瓦之P-1dB 輸出功率的電晶體)，300瓦(P-1dB)裝置於相同應用條件下，所測得的效能為 65瓦平均功率、18dB增益，效率28%。
英飛凌網址：www.infineon.com