微芯(Microchip)日前透過其子公司Silicon Storage Technology(SST)宣布推出已通過驗證的、基於GLOBALFOUNDRIES 130nm BCDLite技術平台的、SST低光罩數嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體(NVM)產品。
微芯(Microchip)日前透過其子公司Silicon Storage Technology(SST)宣布推出已通過驗證的、基於GLOBALFOUNDRIES 130nm BCDLite技術平台的、SST低光罩數嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體(NVM)產品。
SST全球市場行銷及業務開發總監Vipin Tiwari表示，低光罩數嵌入式SuperFlash技術與先進130nm BCDLite製程的結合，開闢了產品全新的應用潛力，尤其是對於電源管理市場而言，令人倍感振奮。現在，有BCDLite製程需求的客戶可以在降低成本的同時為其複雜演算法添加嵌入式SuperFlash儲存技術。
僅僅只需四個罩照步驟(Masking Steps)即可將SST嵌入式SuperFlash儲存解決方案和GLOBALFOUNDRIES的BCDLite技術結合在一起，為電源、微控制器(MCU)和工業IC設計人員提供一款高成本效益、高耐用性的嵌入式快閃記憶體解決方案。在諸如電池充電(5V-30V)等高容量電源應用領域，GLOBALFOUNDRIES 130nm BCDLite平台與SST SuperFlash嵌入式儲存功能的搭配將實現先進的電池監測功能，準確測量出電池的年齡和健康度。
基於GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平台的SST SuperFlash技術方案現已開始投放市場，同時由一個資源豐富的自訂庫提供完備的技術支援，該自訂庫包含了針對類比/電源SoC而最佳化的現成IP模組資源。
SST網址:www.sst.com