未來電力電子系統的設計不斷進化，追求先進的效能和功率密度。為滿足這項趨勢，英飛凌在25-150V等級產品中推出全新源極底置3.3×3.3mm² PQFN系列，包括有底部冷卻(BSC)和雙面冷卻(DSC)兩個版本。新產品系列從元件層級加以大幅強化，提供極為吸引人的DC-DC電源轉換解決方案，為伺服器、電信、OR-ing、電池保護、電動工具、充電器應用的系統創新開啟了嶄新的可能性。
新產品組合結合了英飛凌最新的MOSFET技術與最先進的封裝，將系統效能提升到新層次。在源極底置(SD)概念中，MOSFET晶粒源極接點翻轉朝向封裝的底面，然後焊接到PCB。此外，此概念還包含改善晶片頂部的汲極接點設計，以及領先市場的晶片封裝面積比。
隨著系統外形尺寸不斷縮小，有兩項關鍵至關重要：減少功率損耗和最佳化散熱管理。與同級最佳的PQFN 3.3×3.3mm²汲極向下裝置相比，新系列的導通電阻(RDS(on))大幅改善了25%。英飛凌的OptiMOS源極底置PQFN具有雙面冷卻功能，可提供強化的熱介面，將功率損耗從開關轉移到散熱器。雙面冷卻版本用最直接的方式將電源開關連接到散熱器，與對應的底部冷卻源極底置版本相比，功率消耗能力提高多達三倍。
兩種不同的封裝版本均為PCB佈線帶來最佳的彈性。傳統的標準閘極版本可快速輕鬆地修改現有的汲極向下設計。中心閘極(CG)版本為並聯裝置開闢全新可能性，將驅動器到閘極間的連接盡可能地縮至最短。整個OptiMOS源極底置PQFN 3.3×3.3mm² 25-150V產品系列皆擁有高達298A的卓越連續電流能力，能使系統發揮最高效能。