英飛凌憑藉其矽基功率MOSFET技術CoolMOS，正在推動伺服器電源管理領域的創新，助力打造能夠滿足資料中心嚴苛要求的高性能電源供應器(PSU)解決方案。英飛凌的600V CoolMOS 8高壓超接面(SJ)MOSFET產品系列，助力長城電源技術有限公司在更高功率等級的PSU中實現更高的功率密度與更卓越的性價比。
英飛凌的MOSFET產品聚焦高性能、高可靠性和易用性，可實現出色的能效表現和高功率密度。600V CoolMOS 8超接面(SJ)MOSFET專為實現出色的效率、可靠性並節約成本而設計。能夠在600V CoolMOS 7與CoolMOS 8之間無縫切換以實現供應靈活性，以及在LLC階段的易用性，是長城電源選擇該技術的主要原因之一。
英飛凌副總裁、高壓功率開關產品線負責人Christina Guggenberger表示：「英飛凌透過矽基功率MOSFET技術，為客戶帶來卓越的性能、可靠性與成本效益，為全球市場樹立了創新與卓越的業界標竿。我們的CoolMOS 8技術正是這一承諾的絕佳例證，它為打造滿足資料中心應用嚴苛要求的高性能電源供應解決方案提供了強大支援。」
長城電源技術長金博士表示：「與英飛凌的持續深化合作，讓我們得以借助其業界領先的CoolMOS 8超接面(SJ)MOSFET技術，提升我們的系統性能並實現更高的成本效益。這一合作體現了我們在業內追求創新與卓越的決心。我們很高興地看到，我們現在為客戶提供的電源供應器解決方案在功率密度和成本節約方面實現了顯著提升。」
英飛凌最新推出的600V CoolMOS 8在全球高壓超接面MOSFET技術領域處於領先地位，為全球的技術水準及性價比樹立了標竿。該技術提升了整體系統性能，並進一步助力推動在充電器、適配器、光伏及儲能系統、電動汽車充電設備，以及不斷電供應系統(UPS)等領域的低碳化進程。與CFD7系列相比，CoolMOS 8超接面(SJ)MOSFET的閘極電荷降低了18%；與P7系列相比，閘極電荷降低了33%。閘極電荷減少意味著使MOSFET從關斷狀態(非導通)切換至導通狀態所需提供的電荷量更少，從而實現更高能效的系統性能。此外，該MOSFET擁有市面上更快的關斷時間，且熱性能較上一代產品提升了14%至42%。600V CoolMOS 8超接面(SJ)MOSFET內建快速體二極體，提供SMD-QDPAK、TOLL及ThinTOLL-8x8等封裝形式，適用於廣泛的消費類及工業類應用場景。
除碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)技術外，英飛凌的功率MOSFET在性能、可靠性、品質及性價比方面樹立了業界標竿，不僅能實現一流的應用效果，還助力客戶開發兼具創新性與成本效益的解決方案，以滿足各類嚴苛需求。
600V和650V CoolMOS 8超接面(SJ)MOSFET的樣品現已開放訂購。