意法半導體(ST)宣布格羅方德(Global Foundries)將採用意法半導體獨有的完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(Fully Depleted Silicon-on-Insulator, FD-SOI)技術為意法半導體生產28奈米和20奈米晶片。
意法半導體(ST)宣布格羅方德(Global Foundries)將採用意法半導體獨有的完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(Fully Depleted Silicon-on-Insulator, FD-SOI)技術為意法半導體生產28奈米和20奈米晶片。
意法半導體負責設計支援和服務的企業副總裁Philippe Magarshack表示，透過俗稱襯底的動態最佳化電路基片，FD-SOI可讓同一晶片具有極高的性能或極低的功耗。最後，FD-SOI在低電壓條件下擁有出色的性能表現，能效明顯高於傳統互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程技術。
憑藉其注重成本效益的平面型FD-SOI技術，意法半導體率先推出28奈米FD-SOI，遙遙領先競爭對手。為FD-SOI貨源提供雙重保障，意法半導體與Global Foundries簽訂了代工協定，以補充意法半導體位於法國Crolles工廠的產能。28奈米 FD-SOI元件目前已商用化，預計於2012年7月前投入原型設計；而20奈米FD-SOI元件目前處於研發階段，預計於2013年第三季投入原型設計。
意法半導體的FD-SOI技術已被ST-Ericsson導入於下一代行動平台，這項技術將讓ST-Ericsson的NovaThor平台具有更高的性能和更低的功耗，在發揮最高性能的同時降低功耗達35%。
意法半導體網址：www.st.com