意法半導體(ST)推出打破高壓功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)世界記錄的MDmesh V系列。
意法半導體(ST)推出打破高壓功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)世界記錄的MDmesh V系列。
MDmesh V系列擁有最低的每單位面積導通電組(on-resistance per area)，在650伏特(V)額定電壓應用中可實現最高的效能和功率密度；現在新產品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對於以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器，新產品的成功推出在節能技術領域更是一大耀進。
此外，MDmesh V MOSFET系列中的STW88N65M5導通電阻僅為0.029歐姆(Ω)，是標準TO-247封裝650伏特市場上導通電阻最低的產品，打破同樣是MDmesh V元件的0.038Ω的原產業指標。設計工程人員可直接將新產品替代導通電組較高的MOSFET以提高終端應用的能效或置入更少的MOSFET電晶體，從而減少封裝尺寸並降低整體材料成本(BOM)。
相較於同類600V競爭產品，意法半導體的650伏特STW88N65M5及其他的MDmesh V產品擁有更高的安全範圍，從而提高MOSFET對交流電(AC)電力線上突波電壓的承受能力。
意法半導體網址：www.st.com