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從事電子行業的技術人員或工程師都需要依靠頻譜分析儀來驗證其所設計、製造及測試之儀器是否在預定頻率及位準上產生適當的訊號。各式測量皆可經由頻譜分析儀驗證，因分析儀將呈現該裝置所產生之訊號其頻率內容，但頻譜分析儀電路之性能在時間及溫度變動情況下會產生偏差，此偏差將影響分析儀測量之準確度，如分析儀之量測不準確，其所測試之裝置可能無法如預期表現。
機電與半導體開關在射頻訊號的控制與路徑切換應用上是相當成熟的技術，雖然在精密的測試儀器，例如向量電路分析儀上可用機械式開關，但在體積與成本受限的量產型消費性電子產品，例如有線或衛星電視播送系統中，卻須採用電晶體或PIN二極體的電子式開關，而由於沒有機構式組件同時也讓半導體開關擁有比機械式零件更快反應與更長使用年限的優勢。其中，體效應與磊晶PIN二極體具備不同特性，適於不同射頻切換應用環境。
手機通話費一路探底，儘管讓消費者笑得合不攏嘴，卻讓電信系統業者笑不出來。為了因應這個局面，電信系統業者紛紛透過3G傳輸更多資訊，以取代語音市場帶來的利潤。然而，更多元的傳輸應用代表更多的頻寬需求，也等同於更多的基地台。為了因應無所不在的3G承諾，新一代的基地台也隨之問世。
HSPA從技術討論到現場演示，已進入真正的商用化階段。目前已經投入HSPA商用的營運商包括美國Cingular、德國Vodafone、義大利和記3 Italia、瑞士電信、奧地利mobilkom等。而HSPA包括HSDPA、HSUPA及MIMO等技術，具有增加CQI、改善延遲時間、改變資源調配、新增技術、新增耙子接收器以及處理多路徑訊號等特點，可提供行動用戶更優質的行動寬頻服務體驗。
DRAM在行動通訊應用中有三個重要趨勢：聚合至較低的工作電壓、需求多晶片解決方案，以及從單一資料傳送率(SDR)至雙重資料傳送率(DDR)速度。記憶體業者正致力於使行動式RAM達成低功耗、小封裝，以及較高的資料傳輸率。在電池驅動的裝置系統中，具備超低功耗與超小晶片封裝的行動式RAM，可用於空間限制嚴格的行動通訊產品中，使用較低的工作電流，以獲得更長的電池壽命。
手機燈光設計對於使用者的觀感有重大影響，包括背景LED光源、鍵盤LED、閃光燈LED和指示/彩色LED，都成為手機設計中重要的一環。設計自然的、省電的光源系統極具挑戰性，必須慎選合適的零組件。未來手機將採用更大、更明亮、色彩更豐富、效率更高的螢幕顯示器、更亮的相機閃光燈，以及更多的光源，使得手機燈光系統設計必須設法尋求電源功效的最高使用效率，進而延長待機時間。
高亮度LED已逐漸成為液晶面板背光的新興替代方案，但是CCFL仍是主流，且具有成本優勢。不論使用哪一種光源，背光的均勻度是主要考量。在CCFL燈管應用上，須使用電子式安定器來等化每支燈管的電弧電流，由ASIC驅動並控制的半橋式系統具有明顯優勢。在LED背光應用上，則以遲滯式降壓控制晶片較能提供精確的電流控制，此類晶片能直接感測LED負載電流，並透過內部浮動高電壓端驅動電路進行高電壓端MOSFET開關切換。
許多交換式穩壓控制器沒有整合功率MOSFET，如此雖然能提供彈性的輸入電壓範圍和輸出功率範圍，卻會犧牲開關效率、電路板面積和成本。若把多顆離散的高壓元件整合在一起，有助於發展更小、更精簡和成本更低的PoE用電裝置解決方案。SOI技術能製造二極體和雙極性接面電晶體等高效能接面元件，同時改善功率MOSFET的面積與效率。SOI也具備較佳的高功率暫態耐受性以及內部雜訊隔離能力，使得高品質功率元件以及精準數位與類比控制的整合更簡單。
資料傳輸一定會繼續邁向高速化，而高速訊號傳輸要面臨的問題與解決方式卻不同於以往。為了維持高速傳輸訊號傳輸的品質，必須在印刷電路板設計時，確保特性阻抗的整合匹配，並採取抑制訊號衰減的對策。特性阻抗的整合重點，即是配線幅度與配線間隔的調整與貫孔的設計；而訊號衰減的控制所涉及的層面，除了傳輸電路與接收電路的設計之外，還有印刷電路板的選擇與配線材料的選擇。
行動3D技術日趨成熟，硬體運算速度也持續升級，行動3D遊戲勢將成為基本娛樂配備。隨著雙螢幕、觸控式螢幕、硬體能力提升，以及J2ME技術的發展，手機3D遊戲程式將逐漸成為主流。從行動3D人機介面的發展來看，未來手持式裝置採用3D介面也是大勢所趨，3D化將是未來手持裝置內容應用的必然發展方向，更活潑且多元的3D數位內容將在手機平台上展現。
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