美商亞德諾(Analog Devices Inc；ADI)日前發表結合了高電壓矽晶片與次微米CMOS與互補雙極等技術的新製程技術－iCMOS。ADI的工業用CMOS(iCMOS)製程可提升工廠自動化與流程控制等高電壓應用效能...
美商亞德諾(Analog Devices Inc；ADI)日前發表結合了高電壓矽晶片與次微米CMOS與互補雙極等技術的新製程技術－iCMOS。ADI的工業用CMOS(iCMOS)製程可提升工廠自動化與流程控制等高電壓應用效能，採用iCMOS製程製造的元件可耐受至30V電壓，同時由於將線寬縮小至0.6微米，可減少最高85％的功率消耗與30％的封裝尺寸，使得成本大降。
iCMOS是ADI的新技術平台，是一種改善轉換器與放大器產品效能的製程，將雜訊、匹配性、線性度與穩定度最佳化，能做到整合更多的信號鏈卻無損效能，因此能夠簡化客戶的設計、減少設計週期，和加速上市時間。
iCMOS最主要的優點是以小型幾何製程就可以用來生產精密轉換器、放大器或是其他混合信號元件，以處理工業等級的電壓。在過去，要得到像iCMOS元件這樣的高速度與低功率消耗，工業界使用者需要外加信號調節偏壓、運算放大器與多重電源供應。先前的製造技術要用3至5微米範圍的製程來處理30V，在這類元件加上數位功能會導致他們大到令人無法接受的尺寸。iCMOS廢除了以前的作法，以前做到的功能只有在28隻腳的SOIC封裝，但現在可以採用16隻腳 TSSOP或10隻腳microSOIC封裝。
ADI公司大中華區策略應用經理李財旺表示，通常線寬越細，電晶體的崩潰電壓就越低。因此，對於工業應用這種需要能夠處理30伏電壓範圍的類比元件來說，都是利用1微米或是更高的製程技術來做，因此所得到的晶片尺寸都很大。或是得利用增加相當數量的信號調節、信號偏壓與外部運算放大器的方式，來獲取所需的高速度與低功率消耗，以介接從致動器到感測器的高壓工業系統。
ADI是從2001年開始開發這項製程技術，當時是在舊有的4英吋晶圓生產線上進行，利用傳統製程來生產，一片晶圓上大約只能生產300顆IC。在景氣好時往往有供不應求的情況發生，因此著手開發新的製程技術，以便可以移植到6或8吋的晶圓上生產，獲得更多的產能。
ADI一向專注於工業應用領域，在發表此新的iCMOS技術同時，也一口氣推出15款利用新製程技術製造的新元件。李財旺表示，未來仍會陸續推出新產品，將相關產品轉移到新技術上。