快捷(Fairchild)5kW碳化矽(SiC)雙極電晶體(BJT)將於2013年量產。看準5kW以上大瓦數功率半導體的市場將蓬勃發展，先前宣布投入SiC與氮化鎵(GaN)材料功率半導體研發的快捷，繼英飛凌(Infineon)、意法半導體(STMicroelectronics)與羅姆(Rohm)等業者後，將於2013年量產首顆以SiC材料開發且高瓦數的BJT。
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| 快捷亞太區市場行銷副總裁藍建銅表示，由於GaN功率半導體售價仍較一般矽材料高出三十至五十倍價差，因此目前業者皆以成本較低廉的SiC為功率半導體發展重點。 |
快捷亞太區市場行銷副總裁藍建銅表示，由於SiC功率半導體擁有高瓦數、較佳轉換效能、低系統總成本與易於使用等特性，可在5kW功率以上的市場取代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)，因此吸引眾多半導體業者的目光。快捷在2011年透過收購TranSiC的方式取得SiC功率半導體研發技術的能力後，第一款以SiC材料開發的BJT終於逐步克服技術難題，進入微調製程預備量產的階段。
藍建銅指出，由於良率是現階段SiC BJT量產所面臨的最大挑戰，因此該公司首款產品目前為工程樣本，尚未提供予客戶。雖然尚無法提供確切的量產時間點，不過，隨著微調製程的工作越發完備，SiC BJT量產時間將可加速推進。
快捷預計2013年正式量產的SiC BJT將採委外代工；未來2?3年內，快捷也將推出GaN功率半導體，搶攻大瓦數應用市場。
藍建銅表示，由於現階段快捷自有的晶圓廠尚無法生產SiC BJT，因此先以委外代工的方式進行量產。若未來快捷順利調整自有晶圓廠設備與技術，不排除將委外代工的SiC BJT產品回歸旗下晶圓廠生產，以進一步降低SiC BJT元件的成本。
事實上，SiC材料可打造四類功率元件，包括金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、二極體(Diode)、接面場效電晶體(JFET)與BJT，其中BJT僅快捷半導體率先推出產品。
藍建銅解釋，相較於其他業者專攻前三大項產品，快捷選擇先推出SiC BJT，是考量購併的TranSiC以SiC BJT技術見長；另一方面，也期望成為SiC BJT領域領先者，與其他廠商做出區隔，以站穩高功率市場。
雖然目前SiC功率半導體元件占整體電源IC市場的比重仍小，市場接受度也因價格較高，而尚未顯著增加。不過，隨著各家電源IC廠商進入量產階段，SiC功率元件價格將可進一步下滑。藍建銅強調，SiC具備的種種特性與可降低整體系統成本的優勢，未來將吸引更多廠商採用。