由於可攜式裝置的總體效能將仰賴CPU與記憶體間的資料傳輸效率，再者，英特爾力推的Ultrabook對微型化的NAND記憶體需求高，因此英特爾積極投入新一代記憶體技術的發展，強化其在可攜式裝置的市場地位。
可攜式裝置內建的中央處理器(CPU)與記憶體間的連結效能將左右裝置整體效能表現，因此英特爾積極與記憶體相關業者進行合作。
繼與美光(Micron)合資成立IM Flash Technologies(IMFT)後，英特爾日前更進一步與工研院資訊與通訊研究所共同簽署發展下世代記憶體技術的協議，藉以提升CPU與記憶體的連結傳輸速率並降低功耗。
與此同時，IMFT也開始量產20奈米(nm)產品，新的64Gb NAND記憶體除了適用於輕薄短小的行動裝置外，也將被導入英特爾力推的超輕薄筆電(Ultrabook)。
開創記憶體產業新機 工研院/Intel攜手合作
工研院與英特爾(Intel)簽署新架構記憶體合作協議，可望振興台灣記憶體產業。為解決未來高運算量行動裝置記憶體與中央處理器(CPU)資料傳輸所造成的大量能源消耗，英特爾與經濟部和工研院合作，開發下世代記憶體技術，除因應市場需求變化外，未來此新記憶體研發成果，亦有助強化台灣記憶體製造商的競爭力。
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| 圖1 左起為工研院資訊與通訊研究所所長吳誠文、經濟部技術處處長吳明機、英特爾副總裁暨技術長Justin Rattner |
經濟部技術處處長吳明機(圖1中)表示，英特爾與工研院的新世代記憶體研發，在未來3～5年內，勢必可展現成果，屆時台灣記憶體相關業者也可第一時間獲得最新的記憶體與CPU的三維(3D)堆疊，以及更高效能、更節能的記憶體研發技術，進一步拉抬台灣廠商在全球記憶體市場地位。
未來可攜式裝置，尤其手機、平板裝置(Tablet Device)，所須處理的資料量將持續暴增，記憶體與中央處理器之間的大量資料傳遞將成為耗電最高的部分，因此全球皆致力於解決此問題，並冀望透過3D矽穿孔(TSV)堆疊方式將記憶體與CPU之間的距離縮短，再利用不同於以往的全新記憶體架構，提高記憶體的傳輸速率、容量與效能。
工研院資訊與通訊研究所所長吳誠文(圖1左)指出，新的記憶體架構可滿足未來行動裝置所需，且工研院可主導新世代記憶體的專利授權，對台灣廠商而言將是極大的優勢。若台灣IC或記憶體製造商也能在研發階段加入此合作計畫，更可掌握最新的記憶體技術發展動態，擺脫以往技術落後其他記憶體大廠的情況。
針對三方合作的內容，英特爾副總裁暨技術長Justin Rattner(圖1右)表示，未來英特爾、工研院與經濟部將於5年內各投注500萬美元資金；英特爾還將提供CPU與現有的記憶體技術；而工研院則進行新記憶體架構與3D堆疊技術的研發，以達成記憶體、CPU資料傳遞速度與耗電的最佳平衡，並簡化設計，使下游記憶體製造商更易進行新世代記憶體的製造。
IMFT展現成果 20奈米NAND進入量產階段
英特爾和美光推出首款20奈米、128Gb的多層單元(MLC)NAND記憶體。同時，其64Gb、20奈米NAND裝置已正式量產。
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| 圖2 美光NAND解決方案事業部門行銷總監Kevin Kilbuck表示，微型化MLC架構時，良率將發生問題，不過，憑藉IMTF的技術優勢，20奈米NAND記憶體的良率可與25奈米相同。 |
美光NAND解決方案事業部門行銷總監Kevin Kilbuck(圖2)表示，IMFT開發的新款20奈米、128Gb單片裝置是業界第一個能存儲1TB資料的NAND元件，在指尖大小的空間內封裝八片裸片，儲存容量和性能是IMFT現有20奈米、64Gb NAND裝置的雙倍。且該128Gb裝置可滿足高速ONFI 3.0規範的要求，可達到333MT/s的傳輸速率，客戶可進一步落實具成本效益的超薄、流線造型的產品設計，例如平板裝置、智慧型手機和大容量固態硬碟(SSD)等。
此外，新的128Gb NAND記憶體採用平面式(Planar)NAND架構。Kilbuck指出，相較於已正式量產的64Gb、20奈米NAND記憶體，新研發的大容量記憶體可減少50%的印刷電路板(PCB)占位面積，成本亦可降低50%，對於成本敏感的可攜式裝置相當合適。更何況，未來可攜式裝置的新應用軟體對記憶體儲存空間的要求將日益提升，128Gb NAND記憶體將可滿足並利於未來手機軟體的應用發展。
值得注意的是，美光並計畫於2011年底至2012年推出支援mSATA的產品，並鎖定消費型市場，Kilbuck透露，mSATA傳輸介面接口尺寸更小，更適於以輕薄為訴求的消費性電子產品，如Ultrabook。
綜上所述，為強化其行動裝置市場地位，以及推展Ultrabook適用的薄型化元件，英特爾可謂下足功夫。