意法半導體與海力士半導體在中國大陸無錫的合資晶圓廠，每年將為兩家公司提供相當於75萬片八吋晶圓的產能，藉由此一合資晶圓廠，海力士將得以擴充DRAM產能，並逐步擴大中國大陸市場布局，而意法半導體將取得DRAM與NAND快閃記憶體，用在堆疊於通訊用途的多晶片封裝上。意法半導體有意在近2～3年內增加在NAND市場的占有率，不過目前無錫廠仍僅生產DRAM，未來NAND的產能規畫則須依照市場狀況而定。
意法半導體與海力士半導體在中國大陸無錫的合資晶圓廠，每年將為兩家公司提供相當於75萬片八吋晶圓的產能，藉由此一合資晶圓廠，海力士將得以擴充 DRAM產能，並逐步擴大中國大陸市場布局，而意法半導體將取得DRAM與NAND快閃記憶體，用在堆疊於通訊用途的多晶片封裝上。意法半導體有意在近 2～3年內增加在NAND市場的占有率，不過目前無錫廠仍僅生產DRAM，未來NAND的產能規畫則須依照市場狀況而定。
意法半導體(STMicroelectronics)與海力士半導體(Hynix)日前在中國大陸無錫市的合資晶圓廠(圖1)正式投產，目前建有一座八吋廠與一座十二吋廠，該廠成為歐洲與韓國合資規模最大晶圓廠，初期將以生產DRAM為主，產能則由兩家公司依照持股比例分配。
海力士是全球第二大DRAM製造商，並且以DRAM為主要業務；意法半導體則著眼於行動電話與消費性裝置上必須使用DRAM與快閃記憶體堆疊於多晶片封裝的需求，因此雙方此次合資於無錫設廠是各取所需，意法半導體主要為了取得NAND快閃記憶體與非揮發性記憶體產能，而海力士主要則著眼於擴充DRAM產能。
意法取得手機晶片堆疊記憶體產能
意法半導體總裁暨執行長Carlo Bozotti(圖2)指出，該公司並不會進入主流的標準DRAM產業，此次合資的目的僅在於取得DRAM產能。此外，由於NAND的製造過程與DRAM 類似，因此雙方也可藉此合資晶圓廠而擴充NAND產能。海力士半導體董事長暨執行長禹義濟(圖3)則表示，海力士的主要業務是生產並銷售記憶體，而意法半導體的重點則在於嵌入式應用，須要取得這些記憶體產品，予以堆疊在手機晶片上。
目前意法半導體與海力士皆各自生產其NAND產品，其中，意法半導體在新加坡設有5吋、6吋及8吋晶圓廠生產NAND，且有意在近2～3年內增加在 NAND市場的占有率。Bozotti表示，NAND在持續成長，預計2006年總體市場可達到120億～130億美元，並有15～20%的年成長率，可望在2010年達到200億美元市場規模。意法半導體與海力士都是在2004年第三季開始推出NAND產品，目前兩家公司合計占有20%市場。
在此合資公司中，海力士與意法半導體總投資金額為20億美元，其中海力士持股66%，意法半導體持股33%，並由海力士負責營運管理。針對無錫廠的製程與產能，兩家公司指出，在2006年，8吋廠生產的DRAM採用110奈米與90奈米製程，12吋廠DRAM則採用80奈米製程；預計在2007年，12吋廠將同時使用80奈米與66奈米製程生產DRAM，在NAND的生產上，則將採用60奈米製程，而60奈米製程的NAND也將只在12吋廠生產。
NAND產能規畫依市場狀況而定
在2006年9月，無錫8吋廠的月產能已達到5萬片，12吋廠在9月則僅小量生產1,000片，預計到12月時產能將增加到1～1.5萬片。若換算至8吋晶圓，未來無錫合資廠的年產能將達到75萬片晶圓。兩家公司皆表示，NAND的未來產能規畫必須依照市場狀況而定。
不過，由於目前快閃記憶體市場景氣疲軟，業界人士認為，現階段兩家公司並不急於大量擴充NAND產能。
事實上，雖然無錫廠仍僅生產DRAM，而NAND則尚未投產，但兩家公司表示，為了確保12吋廠能順利進入量產，因此初期先與8吋廠同時製造DRAM，預計將在2007年第一季於12吋廠投產NAND。
無錫合資廠的8吋廠是由海力士韓國第六廠拆運而來的舊有設備組成，12吋廠則是新購設備，設備主要購自日本與美國，並採用少量韓國設備。
目前該廠的後段封測有一部分由意法半導體的封測廠負責，並且有部分外包。不過海力士與意法半導體目前都尚未針對未來委外封測下游廠商的選擇方向給予明確表態。