上一回合,實體層的底細已論述了一半,也就是針對實體層中的邏輯處理部位之探索之旅,而實體層即是工程人員心目中的PHY圖2,依據3GIO規範的定義,實體層可分成2個部分,其一是邏輯處理的部位,其二便是電氣特性的處理。
上一回合,實體層的底細已論述了一半,也就是針對實體層中的邏輯處理部位之探索之旅,而實體層即是工程人員心目中的PHY圖2,依據3GIO規範的定義,實體層可分成2個部分,其一是邏輯處理的部位,其二便是電氣特性的處理。
因此,本回將針對實體層中的電氣特性部位,延續技術探索的旅程。如果以最為精簡的話語來描述電氣特性,就是指向傳送器與接收器,也就是工程人員所言的收發器(Transceiver)圖3。
從經濟上的觀點來說,電氣特性所要言及的基本要務離不開四層板FR-4、矽晶片的價格與功率消耗在可接收的範圍之內等,說穿了就是「成本」不能因速率提高而飆升。PC只能降價,不能漲價,似乎被視為理所當然之事。
若是從「機能面」來說,電氣特性部位所要處理的事項,大致如下:
然而,從電氣特性基本面切入,PHY有一些重要條件必須滿足與符合規格上的指定,值得再三留意。
首先就是搞清楚電氣信號的各項參數。高速的資料通信幾乎全採用串列方式、差動的傳送方式圖8。最為基本的觀念就是差動電壓與共模電壓。差動電壓定量與定性上的定義即是VDIFF = (VD+ - VD-)。而共模電壓VCM = [VD+ + VD-]/2。另外,在3GIO規格中,另有定義幾個電氣信號峰值的參數,還是有必要弄清楚。
以圖9為例來說明前面所言參數的電壓數值,差動信號的峰值對峰值電壓為0.6V,差動信號峰值電壓約為0.3V,而共模電壓約為0.25V。請留意在 3GIO規格中,「Fdc = 30 kHz」是一個定義上的門檻數值,低於此數值,為視為「DC」的狀態,越過此則視為「AC」的情況。
其次的課題是高頻信號的傳輸環境非常地在乎信號損失問題圖10,也就是信號在傳輸路途當中引起的衰減情況。比如說,在最壞的情況下,如1.25GHz時,傳送端最少的差動電壓擺動VTX-DIFFp-p = 800 mV,所允許到接收端時最低的VRX-DIFFp-p = 175mV之際,容許的最高信號損失就為「13.2dB」。若在625MHz情況下,傳送端最小的輸出去增強電壓VTX-DIFFp-p = 505mV,接收端時最低的VRX-DIFFp-p = 175Mv,意味著9.2dB的最高信號損失範圍。
信號的抖動(Jitter)與位元錯誤率BER(Bit Error Rate)也是必要的考量要素。去增強電路(De-emphasis)是3GIO電氣特性中極為重要的一環,這與信號損失是息息相關的應付措施。所謂去增強機能是意指在相同極性的連續位元,將電壓拉低的一種機制,首要的好處就是符合11-13.2dB信號損失的預算空間。圖11的例子解釋了「1001000011」的實施案例。但是底下談到的「標示-Beacon」信號,卻是唯一的例外。
如果有支援喚醒的功能,往往會使用到「標示-Beacon」信號,讓下游端元件來逃離L2狀態。請抓住幾個重點:
圖12、圖13將展示規格中的幾個「標示-Beacon」信號範例。
差動傳送器輸出(Differential Transmitter Output)以及差動接收器輸入(Differential Receiver Input)裡頭的各個電氣參數,是積體電路電子設計與產品工程人員必須透徹理解的基本項目。首先從差動傳送器輸出規範來下手:
USB 2.0介面開始導入Logo認證的制度,因而帶進了眼狀圖(Eye Diagram)的互容符合(Compliance)之確認方式。SerialATA、3GIO也是依然採用眼狀圖的確認機制,只是將傳送端與接收端,分開出來各自論述。
當然,圖14的重點集中在時序(Timing)與電壓輸出的參數上。只是電壓的位階規範分成「轉換位元」與「去增強位元」兩個層次。對於任何250個連續的UI都必須滿足該眼狀圖的規範。而量測的方式不是直接連到3GIO的另一端元件。而是運用一個被動式的測試負載。相信各位也已看出測試負載的差動特性阻抗,就是100ohm。其次,針對差動接收器輸入的各個參數,做個敘述:
接收端之眼狀圖圖17,也有所規範,對於任何250個連續的UI都必須滿足該眼狀圖的規範。
有關PHY實體層的林林總總,在此就告一段落。特別摘要一些實體層上不可或缺的重點做個扼要總結。
去增強回路的導入就是基於以上這些先天條件的緣故。