英特爾積極規劃新世代產品製程並詳盡揭露其製程與封裝技術，同時宣布一系列基礎創新，為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外，尚有稱作PowerVia的背部供電方案。英特爾亦強調迅速轉往下一世代EUV工具的計畫，稱之為高數值孔徑(High NA)EUV。導入Foveros Omni和Foveros Direct 3D封裝技術。同時透過新的製程命名方式，帶領半導體進入埃米(Angstrom)時代。
目前以奈米為基礎的製程節點命名方式，並不符合自1997年起採用閘極長度為準的傳統。英特爾公布其製程節點全新的命名結構，希望創造一致性的製程節點認知。
· Intel 7：植基於FinFET(鰭式場效電晶體)最佳化，相較Intel 10nm SuperFin每瓦效能可提升大約10%~15%。Intel 7將會使用在2021年的Alder Lake產品，以及2022年第一季量產的Sapphire Rapids資料中心產品。
· Intel 4：全面使用極紫外光(EUV)微影技術，透過超短波長的光，印製極小的形狀。伴隨每瓦效能提升約20%以及面積改進，Intel 4將於2022下半年準備量產，2023年開始出貨，client用戶端Meteor Lake和資料中心Granite Rapids將率先採用。
· Intel 3：進一步汲取FinFET最佳化優勢與提升EUV使用比例，以及更多的面積改進， Intel 3相較Intel 4約能夠提供18%的每瓦效能成長幅度。Intel 3將於2023下半年準備開始生產。
· Intel 20A：以RibbonFET和PowerVia這兩個技術開創埃米時代。RibbonFET為英特爾環繞式閘極(Gate All Around)電晶體的實作成果，亦將是自2011年推出FinFET後，首次全新電晶體架構。此技術於較小的面積當中堆疊多個鰭片，於相同的驅動電流提供更快的電晶體開關速度。PowerVia為背部供電，藉由移除晶圓正面供電所需迴路，以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A預計將於2024年逐步量產，相當於2奈米的該製程，也預計將追上台積電的製程進度。英特爾也公布Qualcomm將採用Intel 20A製程技術。
· 2025與未來：Intel 20A之後，改良自RibbonFET的Intel 18A已進入開發階段，預計於2025年初問世，將為電晶體帶來另一次的重大性能提升。英特爾也正在定義、建立與布署下一世代的EUV工具，稱之為高數值孔徑EUV。英特爾正與ASML合作，確保這項技術能夠超越EUV。
在英特爾IDM 2.0策略之下，AWS將是第一個採用IFS封裝解決方案的客戶，該公司同時發表先進封裝藍圖規劃。
· EMIB：自2017年產品出貨開始，以首款2.5D嵌入式橋接解決方案持續引領產業。Sapphire Rapids將會是首款量產出貨，具備EMIB (embedded multi-die interconnect bridge) 的Intel® Xeon®資料中心產品。它也會是業界首款具備4個方塊晶片的裝置，提供等同於單一晶片設計的效能。Sapphire Rapids之後，下一世代的EMIB將從55微米凸點間距降至45微米。
· Foveros：汲取晶圓級封裝能力優勢，提供首款3D堆疊解決方案。Meteor Lake將會是Foveros在client用戶端產品實作的第二世代，其具備36微米凸點間距，晶片塊橫跨多種製程節點，熱設計功耗從5至125瓦。
· Foveros Omni：採用晶片與晶片連結與模組化設計，提供不受限的靈活高效能3D堆疊技術。Foveros Omni允許混合多個頂層晶片塊與多個基底晶片塊，以及橫跨多種晶圓廠節點的分拆晶片（die disaggregation）設計，預計將於2023年準備大量生產。
· Foveros Direct：為降低互連電阻，改採直接銅對銅接合技術，模糊了晶圓製造終點與封裝起點的界線。Foveros Direct能夠達成低於10微米的凸點間距，提升3D堆疊一個量級的互連密度，為原先被認為無法達成的功能性晶片分割開啟新頁。Foveros Direct是Foveros Omni的補充技術，同樣預計於2023年問世。