比利時微電子研究中心(imec)近日宣布其開發之氮化矽(SiN)波導技術與矽光子平台成功進行共整合(Co-integration)，且無損高頻寬主動元件的性能。此次成果是imec矽光子平台的重要升級，將波長選擇元件與其他透過精準相位控制來實現的被動功能進行合成，滿足資料通訊(Datacom)、光達(LiDAR)等應用對光學收發器的需求。
矽光子能夠借力數十年累積下來的矽製程經驗，提供高速資料傳輸，在資料中心傳輸壓力隨著創新技術發展逐步增加的情況下，成為受到矚目的解決良方。矽光子晶片最初進行開發時，便採用絕緣層上覆矽(SOI)，並以III-V化合物半導體作為光源，以此對光訊號和電訊號進行調變及轉換，SOI也成為矽光子發展至今常用的技術。
不過，SOI並非矽光子的唯一選擇，SiN同樣能利用CMOS製程的優勢，並帶來諸多好處：降低傳輸損耗、精準相位控制、低損耗光耦合、降低熱學變異和提高功率等。為了提升矽基光學收發器的能源效率，導入高品質的SiN元件層至關重要，可用來降低傳輸損耗，還能精準掌握元件厚度、折射率變異性等材料特性。這些結構利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)技術製造，處於升溫環境，所以必須避免矽材(Si)與鍺材(Ge)基線元件的性能耗損。
imec開發iSiPP矽光子平台來解決這些整合方面的技術問題，現在也開放業界合作開發應用。透過改良製程的工程技術，imec有效降低SiN微型環型共振器的波長變異性，與目前平台採用電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)技術製成的元件相差4倍以上，並且不影響共整合的主動元件性能。