美高森美(Microsemi)宣布開始供應下一代650伏特(V)非穿通型(Non-punch Through, NPT)絕緣雙極閘電晶體(IGBT)產品，它們具有45安培(A)、70A和95A等三種額定電流可供選擇。美高森美全新NPT IGBT產品系列是專為嚴苛工作環境所設計的產品，尤其適用於太陽能逆變器(Inverter)、焊接機和開關電源等工業產品。
美高森美(Microsemi)宣布開始供應下一代650伏特(V)非穿通型(Non-punch Through, NPT)絕緣雙極閘電晶體(IGBT)產品，它們具有45安培(A)、70A和95A等三種額定電流可供選擇。美高森美全新NPT IGBT產品系列是專為嚴苛工作環境所設計的產品，尤其適用於太陽能逆變器(Inverter)、焊接機和開關電源等工業產品。
新的NPT IGBT器件還能夠實現高達150kHz的極高開關速率，在與美高森美的碳化矽(Silicon Carbide, SiC)飛輪二極體(Free-wheeling Diode)配對使用時，開關速率還可進一步提高。針對最高150KHz的較低速率應用，這些領先的650V NPT IGBT藉由替代成本更高的600～650V金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)器件，可讓開發人員降低整體的系統成本。
下一代650V產品系列中的所有器件都是建基於美高森美先進的Power MOS 8技術，並採用了最先進的晶圓薄化製程。與競爭解決方案相比，可顯著地降低整體開關損耗，及讓器件在快速開關頻率下工作。美高森美希望擴大IGBT市場占有率，根據Yole Développement最新的研究報告指出，此市場將從現今的36億美元增長到2018年的60億美元。
美高森美網址：www.microsemi.com