英飛凌(Infineon)推出 OptiMOS 40 V 低電壓功率 MOSFET，採用源極底置 (Source-Down, SD) PQFN 封裝，適用於伺服器的 SMPS、電信和 OR-ing。
當代的電源系統設計需求高功率密度等級和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系統級效能。英飛凌(Infineon)繼2020年2 月份推出 25 V 裝置後，再推出 OptiMOS 40 V 低電壓功率 MOSFET，採用源極底置 (Source-Down, SD) PQFN 封裝，尺寸為 3.3 x 3.3 mm2。這款 40 V SD MOSFET 適用於伺服器的 SMPS、電信和 OR-ing，還適用於電池保護、電動工具和充電器等應用。
SD 封裝的內部採用上下倒置的晶片。如此一來，讓源極電位 (而非汲極電位) 能透過導熱片連接至 PCB。與現有技術相比，此版本最終可使 RDS(on) 大大降低 25%。相較於傳統的 PQFN 封裝，接面與外殼間的熱阻 (RthJC) 亦獲得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高達 194 A 的高連續電流。此外，經過最佳化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可實現更高的設計靈活性和最高效能。