Diodes推出全球最小的60伏特(V)功率N型金氧半場效電晶體(NMOS)─DMN6070SFCL，導通電阻小於100mΩ。新元件的面積為1.6毫米(mm) × 1.6毫米，標準高度則是0.5毫米，並採用了DFN1616封裝，有助於在手機、超薄液晶電視及掌上型遊戲機等空間受限的產品達到更高的功率密度。
Diodes推出全球最小的60伏特(V)功率N型金氧半場效電晶體(NMOS)─DMN6070SFCL，導通電阻小於100mΩ。新元件的面積為1.6毫米(mm) × 1.6毫米，標準高度則是0.5毫米，並採用了DFN1616封裝，有助於在手機、超薄液晶電視及掌上型遊戲機等空間受限的產品達到更高的功率密度。
全新金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的導通電阻在VGS達到4V時電流僅74 mΩ，可盡量減少導通損失及提高整體功率效率。DMN6070SFCL支援2安培(A)的持續電流以及10A的脈衝電流，有效應付直流對直流(DC-DC)轉換尖峰。
這款微型MOSFET是Diodes 60V N-和P-通道元件系列之一，旨在滿足負載開關、DC-DC轉換及訊號開關負載週期的要求。該系列還提供SO8、SOT23、SOT223和TO252四款較大的封裝選擇，適合消費性電子產品、工業控制及暖氣、通風與空調設備等多種應用裝置。
Diodes網址：www.diodes.com