Diodes新型功率MOSFET實現最佳化低電壓操作

2008-11-11
Diodes全面擴展功率MOSFET產品陣營,加入多款能在不同的消費、通訊、電腦和工業應用中發揮完善負載及切換效能的新型元件。其涵蓋Diodes與捷特科(Zetex)產品系列,包括二十七款30伏特邏輯層級及九款20伏特低臨限電壓的N型、P型和互補式MOSFET,並採用不同的業界標準封裝。  
Diodes全面擴展功率MOSFET產品陣營,加入多款能在不同的消費、通訊、電腦和工業應用中發揮完善負載及切換效能的新型元件。其涵蓋Diodes與捷特科(Zetex)產品系列,包括二十七款30伏特邏輯層級及九款20伏特低臨限電壓的N型、P型和互補式MOSFET,並採用不同的業界標準封裝。  

Diodes的30伏特邏輯層級功率MOSFET覆蓋廣泛的導通電阻範圍,於10伏特VGS下在SOT23 P通道設計中可提供190毫歐姆,在SO8 N通道MOSFET中則提供9毫歐姆。這些元件在邏輯層操作中的導通電阻為4.5伏特VGS,P通道和N通道元件的啟動閘臨限電壓分別為-1伏特和+1伏特。  

新增20伏特低臨限MOSFET的導通電阻設定於2.5伏特VGS及1.8伏特VGS,由SOT23封裝的240毫歐姆到SO8封裝的9毫歐姆。P通道和N通道元件的啟動閘臨限電壓分別為-0.6伏特和+0.6伏特。  

新型功率MOSFET提供SOT323、SOT23、SOT26和SO8封裝格式,各款接腳和占板面積均與原有元件相容,並提供極具競爭優勢的性能與價格,有助於減少物料清單,且無需額外成本也可改善整體性能。新元件可在DC/DC轉換及一般功率管理方面大派用場,為LCD電視、筆記型電腦等多樣化產品設計帶來效益。  

Diodes網址:www.diodes.com  

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