IR全新基準MOSFET提升60%封裝電流額定值

2009-01-17
國際整流器(IR)推出具高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。新元件封裝電流額定值達到195安培,較典型封裝電流額定值高出60%。  
國際整流器(IR)推出具高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。新元件封裝電流額定值達到195安培,較典型封裝電流額定值高出60%。  

新MOSFET擁有更佳導通電阻(RDS(on)),以及提供普及的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外,七接腳D2PAK封裝的封裝電流額定值達到240安培的卓越水平,使其成為市場上最穩固的黏貼封裝之一,並進一步降低RDS(on)。  

國際整流器亞洲區銷售副總裁潘大偉表示,這些封裝提供的更高電流額定值有助從不需要的暫態提供更多防護頻帶,且能讓數枚MOSFET分享高電流的平行型拓墣可減少元件數目。  

全新N通道MOSFET系列提供60~200伏特電壓,並達到工業級別及MSL1標準。新元件均不含鉛及符合電子產品有害物質管制指令(RoHS)。  

國際整流器網址:ww.irf.com  

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