意法半導體(ST)推出新款碳化矽功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)--SCT20N120，其能效與可靠性將為更多節能應用帶來技術優勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發電、高能效驅動器、電源，以及智慧電網設備。
意法半導體(ST)推出新款碳化矽功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)--SCT20N120，其能效與可靠性將為更多節能應用帶來技術優勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發電、高能效驅動器、電源，以及智慧電網設備。
意法半導體始終致力於技術的研發與升級，這次推出的SCT20N120進一步擴大了MOSFET產品系列，具有小於290毫歐姆(mΩ)的導通電組及高達200°C的最大工作接面溫度等諸多優勢。此外，開發人員藉由該產品的超低漏電流，將有助於簡化熱管理設計，並大幅提高可靠性。
除更低的電能耗損外，意法半導體的碳化矽MOSFET的開關頻率也同樣出色，較同等級的絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)高出三倍，可讓設計人員能使用更小的外部元件，進而縮減產品尺寸、重量及材料成本。
意法半導體網址：www.st.com