快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出新款金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)解決方案，已改善主動橋式應用效率。
快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出新款金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)解決方案，已改善主動橋式應用效率。
在高畫質緊湊型主動橋式應用中(如網路攝像機)產生過多熱量，可能會引起圖像畫質問題，與之類似，熱雜訊也可能會影響系統的圖像感測元件，進而降低攝像機的畫質。典型的散熱解決方案透過增加元件數量來調節熱漲落(Thermal fluctuations)，這使得本就複雜的設計變得更加複雜，並且使電路板空間變得更加混亂，快捷半導體全新Quad-MOSFET為設計者提供一體式封裝，有助於解決這些棘手的設計難題。
FDMQ86530L解決方案由四個60伏特(V)N通道MOSFET組成，採用快捷半導體的GreenBridge技術，將功率損失性能提高了十倍，從而改善了傳統二極體電橋的傳導損失及效率。 該元件採用熱性能增強，無須使用散熱器，實現了精巧的設計，並在12V及24V交流電(AC)應用中可提高功率轉換效率。
快捷半導體網址：www.fairchildsemi.com