安森美半導體針對資訊網路、電信和工業應用推出新的高能效單N型通道功率MOSFET系列，進一步擴大其廣泛的產品陣容。這些器件能提供低得令人難以置信的傳導電阻RDS(on)值，從而將傳導損耗降至最低並提升整體工作效能，它們還有低至2164皮法(pF)的門極電容(Ciss)，以確保盡可能保持低驅動損耗。
安森美半導體針對資訊網路、電信和工業應用推出新的高能效單N型通道功率MOSFET系列，進一步擴大其廣泛的產品陣容。這些器件能提供低得令人難以置信的傳導電阻RDS(on)值，從而將傳導損耗降至最低並提升整體工作效能，它們還有低至2164皮法(pF)的門極電容(Ciss)，以確保盡可能保持低驅動損耗。
安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard表示，OEM的工程團隊不斷致力於創建更高效能的電力系統設計，同時占用更少用板空間。該公司新加的器件擴大功率MOSFET產品陣容，為客戶提供高性能的器件，採用緊密、高熱能效封裝，幫助他們達到更高效能的設計目標。
安森美半導體新的NTMFS5C404NLT，NTMFS5C410NLT和NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏特(V)，最大傳導電阻值分別為0.74毫歐(mΩ)、0.9mΩ和2.8mΩ，連續漏電流分別為352安培(A)、315A和127A，與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL，NTMFS5C612NL和NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60V，最高導通電阻分別為1.2mΩ、1.5 mΩ和4.7 mΩ，而相關的連續漏電流為287A、235A和93A。40V和60V的這兩種器件的額定工作接面溫度都高達175˚C，從而為工程師的設計提供更大的熱餘裕。
安森美半導體網址：www.onsemi.com