安森美半導體(ON Semiconductor)和Transphorm先前宣布雙方建立了合作關係，將基於氮化鎵(GaN)的電源配置推出市場，今天美國時間宣佈推出聯名的NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS)600V GaN共源共柵(Cascade)電晶體和使用這些裝置的240W參考設計。
安森美半導體(ON Semiconductor)和Transphorm先前宣布雙方建立了合作關係，將基於氮化鎵(GaN)的電源配置推出市場，今天美國時間宣佈推出聯名的NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS)600V GaN共源共柵(Cascade)電晶體和使用這些裝置的240W參考設計。
安森美半導體電源分離分部副總裁兼總經理Paul Leonard說，GaN電晶體為開關電源重要應用帶來進化性能。隨著更多工程師熟悉氮化鎵器件的優勢，GaN的產品需求將快速增長。安森美半導體和Transphorm正著手於新的發展第一線，並加速上市。
兩款新品NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS)，導通阻抗典型值為150mΩ和290mΩ，採用優化的TO-220封裝，客戶可依據現有的製板能力而整合。兩款600V產品均已使用JEDEC標準認證並量產。
安森美網址：www.onsemi.com